A Samsung mostrou publicamente seus primeiros módulos de memória HBM4 durante a edição de 2025 do Semiconductor Exhibition (SEDEX), na Coreia do Sul. É a estreia oficial da tecnologia diante do grande público e indica que o desenvolvimento do novo padrão segue dentro do cronograma da companhia.
No mesmo evento, a principal concorrente SK hynix também exibiu suas próprias soluções HBM4. As duas empresas, ao lado da Micron, disputam a liderança da próxima geração de memória de alto desempenho, utilizada em aceleradores voltados a inteligência artificial.
Após perder terreno na atual fase HBM3E — que impulsionou a SK hynix ao posto de maior fabricante de DRAM do mundo —, a Samsung intensificou os investimentos em HBM4 para retomar a liderança. A divisão de foundry da empresa vê nesses chips um componente crucial e estaria disposta a reduzir margens de lucro para firmar contratos, especialmente com a NVIDIA.
A fabricante já teria garantido fornecimento de HBM4 para os aceleradores Instinct MI450, da AMD, projetados para competir com a futura linha Vera Rubin de GPUs da NVIDIA. De acordo com rumores de mercado, as linhas de produção da Samsung superam 90% de rendimento, patamar considerado elevado para um componente recém-lançado.
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Enquanto a Samsung apresenta seus avanços, a SK hynix teria iniciado a entrega de lotes de HBM4 para a própria NVIDIA, e a Micron anunciou o envio de módulos de 36 GB a parceiras. Os movimentos reforçam a corrida acirrada pelo fornecimento de memória de alta largura de banda para data centers e aplicações de IA.
Com informações de Adrenaline
