A Samsung confirmou que apresentará dois novos componentes de alto desempenho na CES 2026, prevista para acontecer nos próximos meses em Las Vegas, Estados Unidos. Os destaques serão a primeira memória LPDDR6 da companhia e o SSD PM9E1 Gen5 no formato M.2 2242, ambos já reconhecidos com o prêmio Innovation Awards da feira.
LPDDR6 alcança 10,7 Gbps
A nova geração de memória móvel da fabricante sul-coreana é produzida em processo de 12 nm e atinge velocidade de transferência de 10,7 Gbps. De acordo com a Samsung, o desempenho é 11,5 % superior ao da LPDDR5X, até então o módulo mais rápido da linha. A empresa também afirma que a eficiência energética subiu cerca de 21 % na comparação com a LPDDR5.
O projeto inclui um sistema dinâmico de gerenciamento de energia e mecanismos reforçados de segurança, recursos voltados a aplicações que vão de smartphones a dispositivos de borda e soluções de inteligência artificial.
SSD PM9E1 Gen5 chega a 14,8 GB/s
No segmento de armazenamento, a Samsung exibirá o PM9E1 Gen5, um SSD PCIe 5.0 NVMe em tamanho reduzido de 22 × 42 mm. Apesar do formato compacto, a unidade atinge até 14,8 GB/s em leitura sequencial e 13,4 GB/s em gravação. A capacidade máxima anunciada é de 4 TB.
O componente emprega o controlador Presto, desenvolvido internamente, e memória flash V-NAND V8 TLC. Entre as funções de segurança, o drive conta com suporte ao protocolo SPDM v1.2 para autenticação de dispositivo e verificação de integridade de firmware.
Imagem: Internet
Segundo a fabricante, o SSD foi otimizado para cargas de trabalho de inteligência artificial, além de se destinar a PCs de alto desempenho e notebooks com espaço interno limitado.
Com os dois lançamentos, a Samsung pretende atender à crescente demanda por soluções de memória e armazenamento capazes de lidar com tarefas avançadas em IA, jogos e computação de borda.
Com informações de Adrenaline
